近年來，隨著全球?qū)Νh(huán)境與能源的關(guān)注，各國相繼出臺(tái)了關(guān)于清潔能源轉(zhuǎn)型與雙碳目標(biāo)的政策，進(jìn)而使得新能源發(fā)電裝備、電動(dòng)交通工具、以及電力工業(yè)驅(qū)動(dòng)等電氣化設(shè)備需求呈現(xiàn)指數(shù)上升，而功率半導(dǎo)體器件是電氣化裝備中的核心元件。在我國，根據(jù)《“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)剛要》，集成電路先進(jìn)工藝和IGBT、MEMS等特色工藝突破，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶功率半導(dǎo)體發(fā)展攻關(guān)成為“十四五”時(shí)期的重要任務(wù)，功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展處于“攻堅(jiān)克難”時(shí)期。

因此，功率半導(dǎo)體應(yīng)用前景十分廣闊,幾乎涵蓋了所有電子產(chǎn)業(yè)鏈。以MOSFET、IGBT以及SiC MOSFET為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同,廣泛應(yīng)用于汽車、充電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、消費(fèi)電子、軌道交通、工業(yè)電機(jī)、儲(chǔ)能、航空航天和軍工等眾多領(lǐng)域。Yole 數(shù)據(jù)預(yù)測,至2025年,全球功率半導(dǎo)體分立器件和模塊的市場規(guī)模將分別達(dá)到76億美元和113億美元。據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù),2023年中國大陸地區(qū)IGBT市場規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到290.8億元,同比增長11.6%。據(jù)中國半導(dǎo)體器件行業(yè)現(xiàn)狀深度分析與未來投資預(yù)測報(bào)告數(shù)據(jù),2023年中國大陸地區(qū)MOSFET市場規(guī)模將達(dá)到396.2億元(56.6億美元,人民幣兌美元匯率按照7計(jì)算),同比增長4.8%

電子設(shè)備制造商面臨確保產(chǎn)品可靠性和性能的重大挑戰(zhàn)，特別是在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。由于功率半導(dǎo)體在高溫、高壓和頻繁切換的條件下工作，因此需要通過長期的穩(wěn)定性測試來滿足行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，以提高產(chǎn)品質(zhì)量并延長產(chǎn)品壽命。

針對功率半導(dǎo)體制造商及其應(yīng)用廠商，可提供一款先進(jìn)的功率循環(huán)測試設(shè)備。該設(shè)備的設(shè)計(jì)目的是在真實(shí)工作條件下全面評估功率半導(dǎo)體的可靠性和性能。